2SJ661-DL-1E - MOSFET P-CH 60V 38A

Référence fabricant

2SJ661-DL-1E

Numéro de pièce interne

ABC-2SJ661-DL-1E

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 60V 38A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

494116 Pieces

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Spécifications pour 2SJ661-DL-1E

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 2SJ661-DL-1E

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 60V 38A

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 38A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4360pF @ 20V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.65W (Ta), 65W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-263-2

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 2SJ6 , 2SJ661

Documents pour 2SJ661-DL-1E

Feuilles de données : 2SJ661-DL-1E.pdf

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