BSM180C12P2E202 Fiche technique
Spécifications pour BSM180C12P2E202
Numéro d'article :
BSM180C12P2E202
Fabricant :
Rohm Semiconductor
La description :
BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
204A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 35.2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
+22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
20000pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1360W (Tc)
Température de fonctionnement :
175°C (TJ)
Type de montage :
Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur :
Module
Paquet / caisse :
Module
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-BSM180C12P2E202
Fabricant
Brève description
BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
59084 Pièces
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