BSM180C12P2E202 - BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO

Référence fabricant

BSM180C12P2E202

Numéro de pièce interne

ABC-BSM180C12P2E202

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour BSM180C12P2E202

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSM180C12P2E202

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 204A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35.2mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : +22V, -6V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 20000pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1360W (Tc)

Température de fonctionnement : 175°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Package d'appareils du fournisseur : Module

Paquet / caisse : Module

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSM18 , BSM180C

Documents pour BSM180C12P2E202

Feuilles de données : BSM180C12P2E202.pdf

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