Spécifications pour DN2625DK6-G

Numéro d'article : DN2625DK6-G
Fabricant : Microchip Technology
La description : MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Depletion Mode
Drain à la tension source (Vdss) : 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.04nC @ 1.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 25V
Puissance - Max : -
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-VDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 8-DFN (5x5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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