DN2625DK6-G - MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN

Référence fabricant

DN2625DK6-G

Numéro de pièce interne

ABC-DN2625DK6-G

Fabricant

Microchip Technology

Brève description

MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour DN2625DK6-G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DN2625DK6-G

Fabricant : Microchip Technology

La description : MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Depletion Mode

Drain à la tension source (Vdss) : 250V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 1A, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.04nC @ 1.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 25V

Puissance - Max : -

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-VDFN Exposed Pad

Package d'appareils du fournisseur : 8-DFN (5x5)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DN2 , DN262

Documents pour DN2625DK6-G

Feuilles de données : DN2625DK6-G.pdf

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