Spécifications pour EPC2107

Numéro d'article : EPC2107
Fabricant : EPC
La description : GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Séries : eGaN®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caractéristique FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Puissance - Max : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 9-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 9-BGA (1.35x1.35)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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