EPC2107 - GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

Référence fabricant

EPC2107

Numéro de pièce interne

ABC-EPC2107

Fabricant

EPC

Brève description

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

754194 Pieces

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Spécifications pour EPC2107

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : EPC2107

Fabricant : EPC

La description : GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

Séries : eGaN®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

Caractéristique FET : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.7A, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 16pF @ 50V, 7pF @ 50V

Puissance - Max : -

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 9-VFBGA

Package d'appareils du fournisseur : 9-BGA (1.35x1.35)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : EP , EPC

Documents pour EPC2107

Feuilles de données : EPC2107.pdf

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