ES1BL RHG Fiche technique
Spécifications pour ES1BL RHG
Numéro d'article :
ES1BL RHG
Fabricant :
Taiwan Semiconductor Corporation
La description :
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
950mV @ 1A
La vitesse :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
35ns
Courant - Fuite inverse @ Vr :
5µA @ 100V
Capacité @ Vr, F :
10pF @ 1V, 1MHz
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
DO-219AB
Package d'appareils du fournisseur :
Sub SMA
Température de fonctionnement - Jonction :
-55°C ~ 150°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-ES1BL RHG
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
9741816 Pièces
Prix de référence
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Xilinx Inc. |
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Lattice Semiconductor Corporation |
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Intel |
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Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9NS 324BGA |