ES1BL RHG - DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Référence fabricant

ES1BL RHG

Numéro de pièce interne

ABC-ES1BL RHG

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

9741816 Pieces

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Spécifications pour ES1BL RHG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : ES1BL RHG

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 950mV @ 1A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 35ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 100V

Capacité @ Vr, F : 10pF @ 1V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-219AB

Package d'appareils du fournisseur : Sub SMA

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : ES1 , ES1B

Documents pour ES1BL RHG

Feuilles de données : ES1BL RHG.pdf

Produits associés pour ES1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	Marque	La description
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