GA10JT12-247 Fiche technique
Spécifications pour GA10JT12-247
Numéro d'article :
GA10JT12-247
Fabricant :
GeneSiC Semiconductor
La description :
TRANS SJT 1.2KV 10A
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
-
La technologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
140 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
170W (Tc)
Température de fonctionnement :
175°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-247AB
Paquet / caisse :
TO-247-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-GA10JT12-247
Fabricant
Brève description
TRANS SJT 1.2KV 10A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
67296 Pièces
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