GA10JT12-247 - TRANS SJT 1.2KV 10A

Référence fabricant

GA10JT12-247

Numéro de pièce interne

ABC-GA10JT12-247

Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Brève description

TRANS SJT 1.2KV 10A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour GA10JT12-247

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : GA10JT12-247

Fabricant : GeneSiC Semiconductor

La description : TRANS SJT 1.2KV 10A

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : -

La technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 170W (Tc)

Température de fonctionnement : 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-247AB

Paquet / caisse : TO-247-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : GA10 , GA10JT

Documents pour GA10JT12-247

Feuilles de données : GA10JT12-247.pdf

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