IRF6892STRPBF Fiche technique
Spécifications pour IRF6892STRPBF
Numéro d'article :
IRF6892STRPBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N CH 25V 28A S3
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Not For New Designs
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
28A (Ta), 125A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2510pF @ 13V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
DIRECTFET™ S3C
Paquet / caisse :
DirectFET™ Isometric S3C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-IRF6892STRPBF
Fabricant
Brève description
MOSFET N CH 25V 28A S3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
867034 Pièces
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