IRF6892STRPBF - MOSFET N CH 25V 28A S3

Référence fabricant

IRF6892STRPBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRF6892STRPBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N CH 25V 28A S3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

867034 Pieces

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Spécifications pour IRF6892STRPBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF6892STRPBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N CH 25V 28A S3

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 25V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 28A (Ta), 125A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 50µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2510pF @ 13V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.1W (Ta), 42W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DIRECTFET™ S3C

Paquet / caisse : DirectFET™ Isometric S3C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF6 , IRF689

Documents pour IRF6892STRPBF

Feuilles de données : IRF6892STRPBF.pdf

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