IRFB61N15DPBF Fiche technique
Spécifications pour IRFB61N15DPBF
Numéro d'article :
IRFB61N15DPBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
3470pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2.4W (Ta), 330W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220AB
Paquet / caisse :
TO-220-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-IRFB61N15DPBF
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
226506 Pièces
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