IRFB61N15DPBF - MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB

Référence fabricant

IRFB61N15DPBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRFB61N15DPBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour IRFB61N15DPBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRFB61N15DPBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 150V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 60A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3470pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.4W (Ta), 330W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRFB , IRFB61

Documents pour IRFB61N15DPBF

Feuilles de données : IRFB61N15DPBF.pdf

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