PMWD19UN,518 Fiche technique
Spécifications pour PMWD19UN,518
Numéro d'article :
PMWD19UN,518
Fabricant :
NXP USA Inc.
La description :
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Séries :
TrenchMOS™
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1478pF @ 10V
Puissance - Max :
2.3W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
8-TSSOP
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-PMWD19UN,518
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
49062 Pièces
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