PMWD19UN,518 - MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Référence fabricant

PMWD19UN,518

Numéro de pièce interne

ABC-PMWD19UN,518

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour PMWD19UN,518

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PMWD19UN,518

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Séries : TrenchMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1478pF @ 10V

Puissance - Max : 2.3W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-TSSOP

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PMWD , PMWD19

Documents pour PMWD19UN,518

Feuilles de données : PMWD19UN,518.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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