SI7900AEDN-T1-GE3 Fiche technique
Spécifications pour SI7900AEDN-T1-GE3
Numéro d'article :
SI7900AEDN-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Puissance - Max :
1.5W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Package d'appareils du fournisseur :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1174040 Pièces
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