SI7900AEDN-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Référence fabricant

SI7900AEDN-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI7900AEDN-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI7900AEDN-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI7900AEDN-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Puissance - Max : 1.5W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : PowerPAK® 1212-8 Dual

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8 Dual

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI790 , SI7900AE

Documents pour SI7900AEDN-T1-GE3

Feuilles de données : SI7900AEDN-T1-GE3.pdf

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