SI8900EDB-T2-E1 Fiche technique
Spécifications pour SI8900EDB-T2-E1
Numéro d'article :
SI8900EDB-T2-E1
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1.1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Puissance - Max :
1W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
10-UFBGA, CSPBGA
Package d'appareils du fournisseur :
10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-SI8900EDB-T2-E1
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
380758 Pièces
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