SI8900EDB-T2-E1 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Référence fabricant

SI8900EDB-T2-E1

Numéro de pièce interne

ABC-SI8900EDB-T2-E1

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI8900EDB-T2-E1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI8900EDB-T2-E1

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1.1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Puissance - Max : 1W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 10-UFBGA, CSPBGA

Package d'appareils du fournisseur : 10-Micro Foot™ CSP (2x5)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI890 , SI8900E

Documents pour SI8900EDB-T2-E1

Feuilles de données : SI8900EDB-T2-E1.pdf

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