SPP06N60C3HKSA1 Fiche technique
Spécifications pour SPP06N60C3HKSA1
Numéro d'article :
SPP06N60C3HKSA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
Séries :
CoolMOS™
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
6.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 260µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
620pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
74W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TO220-3-1
Paquet / caisse :
TO-220-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-SPP06N60C3HKSA1
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
442330 Pièces
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