SPP06N60C3HKSA1 - MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220

Référence fabricant

SPP06N60C3HKSA1

Numéro de pièce interne

ABC-SPP06N60C3HKSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SPP06N60C3HKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SPP06N60C3HKSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220

Séries : CoolMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.2A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 260µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 620pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 74W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3-1

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SPP06 , SPP06N6

Documents pour SPP06N60C3HKSA1

Feuilles de données : SPP06N60C3HKSA1.pdf

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