TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Fiche technique
Spécifications pour TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Numéro d'article :
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
Séries :
U-MOSVI
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
104 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs (Max) :
+10V, -20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
890pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
27W (Tc)
Température de fonctionnement :
175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
DPAK+
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1416982 Pièces
Prix de référence
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