TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Référence fabricant

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Numéro de pièce interne

ABC-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Séries : U-MOSVI

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V

Vgs (Max) : +10V, -20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 27W (Tc)

Température de fonctionnement : 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DPAK+

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TJ8S06 , TJ8S06M3L

Documents pour TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Feuilles de données : TJ8S06M3L(T6L1,NQ).pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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