BAQ35-GS18 - DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80

Référence fabricant

BAQ35-GS18

Numéro de pièce interne

ABC-BAQ35-GS18

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

13753152 Pieces

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Spécifications pour BAQ35-GS18

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BAQ35-GS18

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 125V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200mA

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 100mA

La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 1nA @ 60V

Capacité @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Package d'appareils du fournisseur : SOD-80 MiniMELF

Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BAQ , BAQ35

Documents pour BAQ35-GS18

Feuilles de données : BAQ35-GS18.pdf

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