MT41K512M8V00HWC1-N002 - IC DRAM 4G PARALLEL

Référence fabricant

MT41K512M8V00HWC1-N002

Numéro de pièce interne

ABC-MT41K512M8V00HWC1-N002

Fabricant

Micron Technology Inc.

Brève description

IC DRAM 4G PARALLEL

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

89880 Pieces

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Spécifications pour MT41K512M8V00HWC1-N002

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MT41K512M8V00HWC1-N002

Fabricant : Micron Technology Inc.

La description : IC DRAM 4G PARALLEL

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - DDR3L

Taille mémoire : 4Gb (512M x 8)

Fréquence d'horloge : -

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -

Temps d'accès : -

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 1.283V ~ 1.45V

Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C (TC)

Type de montage : -

Paquet / caisse : -

Package d'appareils du fournisseur : -

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MT41K51 , MT41K512M8V

Documents pour MT41K512M8V00HWC1-N002

Feuilles de données : MT41K512M8V00HWC1-N002.pdf

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WX110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 14KV SCREW.
WF165336WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.