SSM6N58NU,LF - MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

Référence fabricant

SSM6N58NU,LF

Numéro de pièce interne

ABC-SSM6N58NU,LF

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

5220488 Pieces

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Spécifications pour SSM6N58NU,LF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SSM6N58NU,LF

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 84 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 129pF @ 15V

Puissance - Max : 1W

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad

Package d'appareils du fournisseur : 6-UDFN (2x2)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SSM6 , SSM6N5

Documents pour SSM6N58NU,LF

Feuilles de données : SSM6N58NU,LF.pdf

Produits associés pour SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	Marque	La description
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