H7N1002LSTL-E - MOSFET N-CH 100V LDPAK

Référence fabricant

H7N1002LSTL-E

Numéro de pièce interne

ABC-H7N1002LSTL-E

Fabricant

Renesas Electronics America

Brève description

MOSFET N-CH 100V LDPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour H7N1002LSTL-E

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : H7N1002LSTL-E

Fabricant : Renesas Electronics America

La description : MOSFET N-CH 100V LDPAK

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 75A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 9700pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 100W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 4-LDPAK

Paquet / caisse : SC-83

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : H7N1 , H7N100

Documents pour H7N1002LSTL-E

Feuilles de données : H7N1002LSTL-E.pdf

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