IRLR3105PBF - MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

Référence fabricant

IRLR3105PBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRLR3105PBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

108144 Pieces

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Spécifications pour IRLR3105PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRLR3105PBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 5V

Vgs (Max) : ±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 710pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 57W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D-Pak

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRL , IRLR3

Documents pour IRLR3105PBF

Feuilles de données : IRLR3105PBF.pdf

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