FF650R17IE4DPB2BOSA1 - IGBT MODULE VCES 1700V 650A

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
IGBT MODULE VCES 1700V 650A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FF650R17IE4DPB2BOSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FF650R17IE4DPB2BOSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IGBT MODULE VCES 1700V 650A
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : Trench Field Stop
Configuration : 2 Independent
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 650A
Puissance - Max : -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 650A
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 5mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 54nF @ 25V
Contribution : Standard
Thermistance NTC : Yes
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : Module
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FF650R , FF650R17IE

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Feuilles de données : FF650R17IE4DPB2BOSA1.pdf

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