IPZA60R099P7XKSA1 - MOSFET TO247-4

Référence fabricant

IPZA60R099P7XKSA1

Numéro de pièce interne

ABC-IPZA60R099P7XKSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET TO247-4

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

114744 Pieces

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Spécifications pour IPZA60R099P7XKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPZA60R099P7XKSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET TO247-4

Séries : CoolMOS™ P7

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 31A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 530µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1952pF @ 400V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 117W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO247-4

Paquet / caisse : TO-247-4

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPZA6 , IPZA60R0

Documents pour IPZA60R099P7XKSA1

Feuilles de données : IPZA60R099P7XKSA1.pdf

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