FDBL0630N150 - MOSFET N-CH 150V 169A H-PSOF8

Référence fabricant

FDBL0630N150

Numéro de pièce interne

ABC-FDBL0630N150

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 150V 169A H-PSOF8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour FDBL0630N150

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDBL0630N150

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 150V 169A H-PSOF8

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 150V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 169A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5805pF @ 75V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 500W (Tj)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-HPSOF

Paquet / caisse : 8-PowerSFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDBL , FDBL06

Documents pour FDBL0630N150

Feuilles de données : FDBL0630N150.pdf

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