QJD1210SA2 - MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Référence fabricant

QJD1210SA2

Numéro de pièce interne

ABC-QJD1210SA2

Fabricant

Powerex Inc.

Brève description

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

52936 Pieces

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Spécifications pour QJD1210SA2

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : QJD1210SA2

Fabricant : Powerex Inc.

La description : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 34mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 330nC @ 15V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8200pF @ 10V

Puissance - Max : 415W

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : Module

Package d'appareils du fournisseur : Module

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : QJD , QJD12

Documents pour QJD1210SA2

Feuilles de données : QJD1210SA2.pdf

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