NTAT6H406NT4G - NCH 80V 175A 2.9MOHM

Référence fabricant

NTAT6H406NT4G

Numéro de pièce interne

ABC-NTAT6H406NT4G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

NCH 80V 175A 2.9MOHM

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour NTAT6H406NT4G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NTAT6H406NT4G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : NCH 80V 175A 2.9MOHM

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 80V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 175A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8040pF @ 40V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 90W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : ATPAK

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NTAT , NTAT6H

Documents pour NTAT6H406NT4G

Feuilles de données : NTAT6H406NT4G.pdf

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