IPP08CN10N G - MOSFET N-CH 100V 95A TO-220

Référence fabricant

IPP08CN10N G

Numéro de pièce interne

ABC-IPP08CN10N G

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 100V 95A TO-220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IPP08CN10N G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPP08CN10N G

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 100V 95A TO-220

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 95A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 95A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 130µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6660pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 167W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPP0 , IPP08C

Documents pour IPP08CN10N G

Feuilles de données : IPP08CN10N G.pdf

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