IRF7492PBF - MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

Référence fabricant

IRF7492PBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRF7492PBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IRF7492PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF7492PBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.7A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 79 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 59nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1820pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF , IRF74

Documents pour IRF7492PBF

Feuilles de données : IRF7492PBF.pdf

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