CUS10I30A(TE85L,QM - DIODE SCHOTTKY 30V 1A US-FLAT

Référence fabricant

CUS10I30A(TE85L,QM

Numéro de pièce interne

ABC-CUS10I30A(TE85L,QM

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

DIODE SCHOTTKY 30V 1A US-FLAT

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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6504218 Pieces

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Spécifications pour CUS10I30A(TE85L,QM

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CUS10I30A(TE85L,QM

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : DIODE SCHOTTKY 30V 1A US-FLAT

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Schottky

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 30V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 390mV @ 700mA

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 60µA @ 30V

Capacité @ Vr, F : 50pF @ 10V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SC-76, SOD-323

Package d'appareils du fournisseur : US-FLAT (1.25x2.5)

Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CUS10I , CUS10I30A

Documents pour CUS10I30A(TE85L,QM

Feuilles de données : CUS10I30A(TE85L,QM.pdf

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