STN2NE10L - MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223

Référence fabricant

STN2NE10L

Numéro de pièce interne

ABC-STN2NE10L

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour STN2NE10L

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STN2NE10L

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223

Séries : STripFET™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.8A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 345pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-223

Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STN , STN2

Documents pour STN2NE10L

Feuilles de données : STN2NE10L.pdf

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