BUZ30AH3045AATMA1 - MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

Référence fabricant

BUZ30AH3045AATMA1

Numéro de pièce interne

ABC-BUZ30AH3045AATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour BUZ30AH3045AATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BUZ30AH3045AATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

Séries : SIPMOS®

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 21A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 125W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263AB)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BUZ30 , BUZ30AH3

Documents pour BUZ30AH3045AATMA1

Feuilles de données : BUZ30AH3045AATMA1.pdf

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