GKI10526 - MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN

Référence fabricant

GKI10526

Numéro de pièce interne

ABC-GKI10526

Fabricant

Sanken

Brève description

MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour GKI10526

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : GKI10526

Fabricant : Sanken

La description : MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47.7 mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 350µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1530pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta), 46W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-DFN (5x6)

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : GK , GKI1

Documents pour GKI10526

Feuilles de données : GKI10526.pdf

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