ES2BHM4G - DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Référence fabricant

ES2BHM4G

Numéro de pièce interne

ABC-ES2BHM4G

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

5136922 Pieces

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Spécifications pour ES2BHM4G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : ES2BHM4G

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 2A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 950mV @ 2A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 35ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 100V

Capacité @ Vr, F : 25pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-214AA, SMB

Package d'appareils du fournisseur : DO-214AA (SMB)

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : ES , ES2B

Documents pour ES2BHM4G

Feuilles de données : ES2BHM4G.pdf

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