BAS33-TAP - DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35

Référence fabricant

BAS33-TAP

Numéro de pièce interne

ABC-BAS33-TAP

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

17200470 Pieces

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Spécifications pour BAS33-TAP

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BAS33-TAP

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 30V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200mA

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 100mA

La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 1nA @ 15V

Capacité @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : DO-204AH, DO-35, Axial

Package d'appareils du fournisseur : DO-35

Température de fonctionnement - Jonction : 175°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BAS , BAS3

Documents pour BAS33-TAP

Feuilles de données : BAS33-TAP.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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