IMBD4448-HE3-18 - DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Référence fabricant

IMBD4448-HE3-18

Numéro de pièce interne

ABC-IMBD4448-HE3-18

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IMBD4448-HE3-18

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IMBD4448-HE3-18

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 75V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 150mA

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 10mA

La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Temps de récupération inverse (trr) : 4ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 2.5µA @ 70V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareils du fournisseur : SOT-23

Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IMBD4 , IMBD444

Documents pour IMBD4448-HE3-18

Feuilles de données : IMBD4448-HE3-18.pdf

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