CSD17579Q3AT - MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Référence fabricant

CSD17579Q3AT

Numéro de pièce interne

ABC-CSD17579Q3AT

Fabricant

T-I

Brève description

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour CSD17579Q3AT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CSD17579Q3AT

Fabricant : T-I

La description : MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Séries : NexFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.2 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 998pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.2W (Ta), 29W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-VSONP (3x3.15)

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CSD1 , CSD175

Documents pour CSD17579Q3AT

Feuilles de données : CSD17579Q3AT.pdf

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