TSM60NB190CM2 RNG - MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Référence fabricant

TSM60NB190CM2 RNG

Numéro de pièce interne

ABC-TSM60NB190CM2 RNG

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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439327 Pieces

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Spécifications pour TSM60NB190CM2 RNG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TSM60NB190CM2 RNG

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1273pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 150.6W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-263 (D²Pak)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TSM60 , TSM60NB1

Documents pour TSM60NB190CM2 RNG

Feuilles de données : TSM60NB190CM2 RNG.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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