BSH108,215 - MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23

Référence fabricant

BSH108,215

Numéro de pièce interne

ABC-BSH108,215

Fabricant

Nexperia USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour BSH108,215

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSH108,215

Fabricant : Nexperia USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23

Séries : TrenchMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.9A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 830mW (Tc)

Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-236AB

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSH , BSH10

Documents pour BSH108,215

Feuilles de données : BSH108,215.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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