SQD40131EL_GE3 - MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Référence fabricant

SQD40131EL_GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SQD40131EL_GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

1080842 Pieces

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Spécifications pour SQD40131EL_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SQD40131EL_GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 115nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 62W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252AA

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SQD4 , SQD4013

Documents pour SQD40131EL_GE3

Feuilles de données : SQD40131EL_GE3.pdf

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