1SS307E,L3F - DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Référence fabricant

1SS307E,L3F

Numéro de pièce interne

ABC-1SS307E,L3F

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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21894649 Pieces

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Spécifications pour 1SS307E,L3F

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 1SS307E,L3F

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 80V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 100mA

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.3V @ 100mA

La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10nA @ 80V

Capacité @ Vr, F : 6pF @ 0V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SC-79, SOD-523

Package d'appareils du fournisseur : SC-79

Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 1SS , 1SS30

Documents pour 1SS307E,L3F

Feuilles de données : 1SS307E,L3F.pdf

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