IRF6603TR1 - MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Référence fabricant

IRF6603TR1

Numéro de pièce interne

ABC-IRF6603TR1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IRF6603TR1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF6603TR1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 27A (Ta), 92A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 4.5V

Vgs (Max) : +20V, -12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6590pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.6W (Ta), 42W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DIRECTFET™ MT

Paquet / caisse : DirectFET™ Isometric MT

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF , IRF66

Documents pour IRF6603TR1

Feuilles de données : IRF6603TR1.pdf

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